Η Samsung ανακοίνωσε το πρώτο V-NAND SSD

Η Samsung ανακοίνωσε την πρώτη σειρά solid state drive που βασίζεται στην πρωτοποριακή τεχνολογία 3D V-NAND. Η νέα σειρά είναι σχεδιασμένη για χρήση σε επιχειρησιακούς διακομιστές και κέντρα δεδομένων. "Χάρη στην τεχνολογία 3D V-NAND - η οποία έχει ξεπεράσει το εμπόδιο της κλιμάκωσης πέρα από τα 10nm (νανομέτρα) - η Samsung παρέχει υψηλή πυκνότητα και εξαιρετική αξιοπιστία, καθώς και υψηλότερη έως και 20% απόδοση με παράλληλη μείωση της κατανάλωσης έως και κατά 40%" δήλωσε ο E.S. Jung, Executive Vice President, του κέντρου R&D στην κατηγορία των ημιαγωγών της Samsung Electronics στο πρόσφατο συνέδριο Flash Memory Summit.   
Η σειρά Samsung V-NAND SSD αποτελείται από δύο μοντέλα, με χωρητικότητα 960GB και 480GB με το μοντέλο των 960GB να προσφέρει 20% αυξημένη απόδοση στην σειριακή και τυχαία ταχύτητα εγγραφής χρησιμοποιώντας 64 dies τύπου MLC 3D V-NAND με καθένα από αυτά να προσφέρει 128Gb (gigabits) αποθηκευτικού χώρου χρησμοποιώντας το πρότυπο SATA 6Gbps όσο αφορά στον δίαυλο επικοινωνίας.   Τα νέα V-NAND SSD της Samsung προσφέρουν 35K program erase cycles και είναι διαθέσιμα σε μορφή 2.5 ιντσών με πάχος που δεν ξεπερνάει τα 7mm (100 x 70 x 7 mm). Όσο αφορά στην τεχνολογία 3D V-NAND, προσφέρει σημαντικές βελτιώσεις σε σχέση με την συμβατική δισδιάστατη μέθοδο κατασκευής, χρησιμοποιώτας κυλινδρικού σχήματος κατασκευές κελιών - που ονομάζονται 3D Charge Flash - που συνδυάζονται με μία τεχνολογία διασύνδεσης που εφαρμόζεται κάθετα για να συνδέσει και τις 24 στρώσεις που αποτελούν κάθε τρισδιάστατη συστοιχία κελιών.